Расчет времени рассасывания неосновных носителей заряда в базе транзистора

Время рассасывания неосновных носителей заряда определяется следующей формулой:

, с

где β- коэффициент усиления транзистора (исх.данные);

fг- граничная частота усиления транзистора;

Iбн.- ток базы в режиме насыщения;

Iбр.- ток базы в режиме рассасывания (все аргументы указаны в исходных данных);

;